晶圆尺寸：300mm（兼容200mm）沉积均匀性：±1%（片内，3σ），±2%（片间）沉积速率：SiO₂约500-1000Å/min，Si₃N₄约200-500Å/min膜厚控制精度：±0.5%（50Å-5μm范围···

设备尺寸：约4.5m × 3.8m × 2.5m（含维护空间）功耗：约45kW（满载运行）真空度：沉积腔室<1×10⁻⁵ Torr（极限真空）气体需求：TiCl₄（纯度99.999%）、NH₃、N₂O、···

高密度等离子体生成：采用中空阴极结构与磁场增强设计，等离子体密度达10¹² ions/cm³，较传统PVD源提高4倍，显著改善薄膜致密度和台阶覆盖性。动态离子能量控制：集成RF···

四分区RF源系统：13.56MHz射频电源（功率0-3000W），通过独立控制四个区域的功率分布，实现晶圆面内刻蚀均匀性<±3%（1σ）动态匹配网络：实时调节阻抗匹配，确保等离子···